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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种
原位
掺杂
预氧化重质有机物的硬碳制备方法
本发明涉及钠离子电池负极材料技术领域,公开了一种
原位
掺杂
预氧化重质有机物的硬碳制备方法,包括以下步骤:步骤一、低温氧化:热处理结束后得到预氧化碳材料;步骤二、元素
掺杂
:得到与硫元素
掺杂
的硬碳前驱体;步骤三、低温固化:得到...
李冬霜
陈伊星
郭若琪
周曦丹
一种变磷烷流量多层
原位
掺杂
非晶硅层的PE-poly工艺方法
本发明公开了一种变磷烷流量多层
原位
掺杂
非晶硅层的PE‑poly工艺方法,属于光伏太阳能电池制备技术领域,包括以下步骤:S1、N型硅衬底预处理;S2、N型硅衬底表面生长隧穿氧化层:通过PECVD技术,利用笑气在N型硅衬底背...
刘飞
丰平
陈实
高宇
张子慧
罗东洋
夏威
一种
原位
掺杂
交联聚乙烯绝缘材料及其制备方法
本申请涉及电缆材料的技术领域,具体公开了一种
原位
掺杂
交联聚乙烯绝缘材料及其制备方法。一种
原位
掺杂
交联聚乙烯绝缘材料,包括如下重量份数的组分:低密度聚乙烯100份、正硅酸乙酯1.5‑2.0份;交联剂1.5‑1.7份、抗氧剂...
徐晓辉
嵇建忠
唐艳芳
卞俭俭
王芹
杨玲玲
徐永卫
一种
原位
掺杂
和包覆的磷酸铁锂材料及其制备方法和应用
本发明属于锂离子电池材料技术领域,具体公开一种
原位
掺杂
和包覆的磷酸铁锂材料及其制备方法和应用。本发明的磷酸铁锂材料包括
原位
碳包覆层和
原位
掺杂
高价金属阳离子的磷酸铁锂核心,所述磷酸铁锂材料的化学通式为LiFe<SUB>1‑...
黄栩鹏
阮丁山
石燕
王雪菲
杜锐
李长东
一种
原位
掺杂
S的木质素改性酚醛树脂制备钠离子硬碳的方法
本发明公开了一种
原位
掺杂
S的木质素改性酚醛树脂制备钠离子硬碳的方法,属于木质素改性、酚醛树脂合成和钠离子负极硬碳材料制备的技术领域。本发明通过水热法加入无水亚硫酸钠,在木质素中
原位
掺杂
S元素之后与酚醛预聚体共聚,得到磺化...
蒋剑春
徐晨晨
孙康
王傲
张高月
一种副产硫酸盐制备的多金属元素
原位
掺杂
硫酸铁钠正极材料及其方法与钠离子电池
本发明属于钠离子电池技术领域,主要涉及一种副产硫酸盐制备的多金属元素
原位
掺杂
硫酸铁钠正极材料及其方法与钠离子电池。方法包括:将固废硫酸钠、无水硫酸钠、副产硫酸亚铁和七水硫酸亚铁加入至去离子水中,搅拌至充分溶解,过滤分离不...
石靖
侯任伟
金苏丹
易宇
钟菊芽
李国钦
原位
掺杂
层制备方法及半导体器件
本发明的实施例提供一种
原位
掺杂
层制备方法及半导体器件,涉及半导体器件技术领域。该
原位
掺杂
层制备方法包括:提供一带有沟槽的衬底;沿沟槽的表面生长氧化层;在沟槽内生长预设厚度的多晶硅层时,按照预设的
掺杂
气体浓度、预设的
掺杂
气...
张聪
徐忠权
一种全固态薄膜电池电极的
原位
掺杂
制备方法
本发明公开了一种全固态薄膜电池电极的
原位
掺杂
制备方法,包括如下步骤:步骤1、预先在集流体上溅射厚度为1nm~20μm的
掺杂
材料层;步骤2、在所述步骤1
掺杂
层表面生长可
掺杂
的薄膜电极材料,在1×10<Sup>‑1</Sup...
崔艳华
邱进旭
赵宇
李红亮
崔益秀
一种全固态薄膜电池电极的
原位
掺杂
制备方法
本发明公开了一种全固态薄膜电池电极的
原位
掺杂
制备方法,包括如下步骤:步骤1、预先在集流体上溅射厚度为1nm~20μm的
掺杂
材料层;步骤2、在所述步骤1
掺杂
层表面生长可
掺杂
的薄膜电极材料,在1×10<Sup>‑1</Sup...
崔艳华
邱进旭
赵宇
李红亮
崔益秀
具有
掺杂
表面的设备以及使用
原位
掺杂
的相关方法
本申请涉及具有
掺杂
表面的设备和使用
原位
掺杂
的相关方法。如电子装置等设备和其结构包含基底(例如,半导体)材料的至少一个
掺杂
表面。所述至少一个
掺杂
表面的
掺杂
剂沿所述表面集中,从而限定了所述基底材料上或其中的厚度不超过约一个原...
J·古哈
S·卡沙夫
S·普鲁古瑞塔
M·K·阿赫塔尔
J·B·弗劳奈克
A·J·斯赫林斯凯
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张伟
作品数:365
被引量:565
H指数:13
供职机构:清华大学
研究主题:双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
付军
作品数:92
被引量:11
H指数:2
供职机构:清华大学
研究主题:双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
吴正立
作品数:57
被引量:8
H指数:2
供职机构:清华大学
研究主题:双极晶体管 发射极 嵌入式 原位掺杂 锗硅异质结双极晶体管
赵悦
作品数:59
被引量:16
H指数:1
供职机构:清华大学
研究主题:双极晶体管 发射区 发射极 锗硅异质结双极晶体管 基极电阻
许平
作品数:47
被引量:23
H指数:3
供职机构:清华大学
研究主题:双极晶体管 发射极 嵌入式 原位掺杂 发射区
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