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一种CuAgSe基热电半导体晶体及其制备方法
本发明涉及热电半导体材料技术领域，公开了一种CuAgSe基热电半导体晶体及其制备方法，该材料以单质Cu、单质Ag和单质Se为原料经过熔融处理和布里奇曼生长法制成；该材料与加压烧结法制成的CuAgSe基热电半导体晶体相比，...
万舜白旭东魏天然金敏赵琨鹏金涵
一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置
本发明提供一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置，导流筒包括固定部和调节部，导流筒呈桶状并绕晶棒四周设置，其中，固定部上端向外延伸的部分固定于半导体生长装置上，固定部向下延伸的部分为逐渐向晶体靠近的斜面，固定部底部为靠近液...
温雅楠金光勳
一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法
本申请公开了一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法，属于半导体晶体制备技术领域。该液相生长装置包括：能够容纳原料液体的坩埚，坩埚侧壁的上部设置有与坩埚侧壁抵接的环状液滴去除件，液滴去除件的熔点高于半导体的生长...
党一帆朱灿刘鹏飞陈超周惠琴王立凤李印马立兴
一种增强型氮化物半导体晶体管结构
本发明涉及一种增强型氮化物半导体晶体管结构，属于半导体技术领域，包括外延结构，所述外延结构包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和势垒层上的帽层，在所述外延结构表面制作晶体管结构的源极、栅极以及漏极，所述势垒层上的帽层...
苗操刘兆平
半导体晶体管器件及其形成方法
半导体晶体管器件包括沟道结构、栅极结构、第一源极/漏极外延结构、第二源极/漏极外延结构、栅极接触件和背侧源极/漏极接触件。该栅极结构包裹沟道结构。该第一源极/漏极外延结构和该第二源极/漏极外延结构布置在沟道结构的相对端部...
朱熙甯王志豪江国诚程冠伦蓝文廷
一种氮化物半导体晶体管结构
本发明公开了一种氮化物半导体晶体管结构，其外延结构包括导电衬底，衬底上的成核层，所述成核层上方设置缓冲层，所述缓冲层上方设置有p型氮化物掩埋层，还包括p型氮化物掩埋层上方的沟道层，沟道层上方的势垒层，外延结构表面制作晶体...
苗操刘兆平
一种埋入半导体晶体的方法及PCB板
本申请公开了一种埋入半导体晶体的方法及PCB板，其中，埋入半导体晶体的方法包括：提供一种包裹有所述半导体晶体的装配体以及至少一张芯板；在单张芯板或多张芯板压合形成的板件上开设至少一个与所述装配体尺寸相同的通槽；将所述装配...
刘世生邹良云
半导体晶体制备方法、籽晶托和PVT生长系统
本发明涉及一种半导体晶体制备方法、籽晶托和PVT生长系统。所述方法在对现有工艺制备得到半导体晶体进行检测的基础上，获得缺陷类型和位置，再依据所述缺陷类型和位置在籽晶托上制作温控凹槽。高温生长条件下，温控凹槽及填充物会引起...
徐嶺茂邵秦秦皮孝东周杰杨德仁
一种大尺寸CoSbS基热电半导体晶体及其制备方法
本发明涉及热电半导体材料技术领域，公开了一种大尺寸CoSbS基热电半导体晶体及其制备方法，大尺寸CoSbS基热电半导体晶体采用CoSbS多晶原料进行熔融生长法制成，CoSbS多晶原料采用单质Co颗粒、单质Sb颗粒以及单质...
白旭东万舜魏天然金敏赵琨鹏金涵
用于碳化硅半导体晶体沉积的石墨圆环打磨设备和方法
本发明涉及一种半导体晶片加工设备，尤其是一种用于碳化硅半导体晶体沉积的石墨圆环打磨装置和方法。该装置和方法包括打磨装置和圆环抱夹装置，打磨头装置位于所述圆环抱夹装置上方；打磨装置包括打磨摆臂和安装于打磨摆臂端部的打磨头；...
史文涛肖文辉戴毅毅杜海权唐冬冬
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孙聂枫
作品数：228被引量：78H指数：6
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 籽晶
邵会民
作品数：119被引量：17H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：坩埚 磷化铟 晶体生长 半导体晶体 籽晶
李晓岚
作品数：122被引量：22H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 半导体晶体 晶体生长 炉体
王阳
作品数：134被引量：24H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 晶体生长 VGF 半导体晶体
孙同年
作品数：128被引量：56H指数：5
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 晶体生长 坩埚 INP VGF