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肖特基势垒二极管
本发明提供能够将肖特基位垒高度(ΦBn)控制为各种各样的值的肖特基势垒二极管。本发明是一种肖特基势垒二极管，其具有：硅层11；以及硅化物层12a，其配置于所述硅层11上且包含Pt和Ni，从所述硅化物层12a和所述硅层11...
桥本将贵末本龙二仙田悟
肖特基势垒二极管
提供一种具有沟槽结构的肖特基势垒二极管，其具有比以往更高的耐压。作为一个实施方式，提供一种肖特基势垒二极管(1)，该肖特基势垒二极管(1)具备：第1导电型的半导体层(11)，其包括宽带隙半导体，在第1面具有形成台面部(1...
大冢文雄
肖特基势垒二极管
本发明提供一种能够减少正向电压的肖特基势垒二极管。本发明具备第1导电型半导体衬底、包含第1导电型区域与第1导电型杂质区域的第1导电型半导体层、第1电极层、第2电极层、与第1电极层导通的第2外部端子、及与第2电极层导通的第...
宫崎爱子荒川贵博川上友之小林悟史
肖特基势垒二极管
本发明提供一种难以产生电场集中引起的绝缘破坏的肖特基势垒二极管，具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层30肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(2...
有马润藤田实平林润佐佐木公平
肖特基势垒二极管
本发明提供不容易发生由电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管包括：由氧化镓形成的半导体基板(20)；设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳...
有马润藤田实平林润佐佐木公平
肖特基势垒二极管
本发明的目的在于，在使用氧化镓的肖特基势垒二极管中，既确保充分的反向耐压又降低导通电阻。肖特基势垒二极管(1)包括由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30...
有马润藤田实川崎克己平林润
一种TiSi势垒的制备方法
本发明属于半导体功率器件技术领域，提供了一种TiSi势垒的制备方法。本方法包括以下步骤：S1:在Si衬底表面低温溅射一层Ti薄膜金属层；S2:在真空环境下进行合金；S3:纯N<Sub>2</Sub>气氛中高温快速退火，获...
徐婷董文俊齐露露卞欣彤杨梦凡
一种肖特基势垒二极管
本发明提供了一种肖特基势垒二极管，具有：欧姆电极层4；第二半导体层32，下表面与欧姆电极层4上表面形成欧姆接触，为n型半导体层，包括SnO<Sub>2</Sub>类化合物半导体材料；第一半导体层31，为n型半导体层，包括...
尹向阳谢弟银李静
沟槽型肖特基势垒二极管
本实用新型涉及一种沟槽型肖特基势垒二极管，包括：衬底，具有第一导电类型；第一导电类型层，位于所述衬底上，所述第一导电类型层的掺杂浓度小于所述衬底的掺杂浓度；沟槽结构，从所述第一导电类型层的第一表面向所述衬底延伸，所述第一...
范志康王东升王超群颜海英
一种肖特基势垒二极管器件结构
一种肖特基势垒二极管(SBD)器件结构，包括半绝缘衬底，所述半绝缘衬底具有第一导电类型，所述半绝缘衬底包括第一表面、第二表面和侧壁，所述第一表面的高度高于所述第二表面的高度，所述侧壁连接所述第一表面和所述第二表面；位于所...
吴亦旸郑军崔金来贺晨刘香全黄秦兴刘智左玉华成步文
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供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场板 势垒层 电力电子系统 功率器件 淀积
杨翠
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研究主题：场板 势垒层 空场 功率器件 淀积