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用俄歇 电子 谱 法 研究锡铅焊料的抗氧化机理 被引量:14 1989年 用AES-350型俄歇 电子 能谱 仪对普通锡铅焊料和抗氧化焊料自液态冷却的自由表面进行分析研究,证明普通焊料表面因Sn的富集,易于形成不断增厚的氧化层;而微量元素Ga在抗氧化焊料表面富集倾向远大于Sn,并形成不到10nm的富Ga表面保护膜。本文指出,在保护膜内高价Ga离子使表面层离子排列空位增加并使比电导降低,是产生抗氧化性的原因。 吴申庆 邵力为 刘洁美 姜文标关键词:电子谱法 铅 焊料 抗氧化 薄膜定量分析中的Auger线型分析方法 被引量:2 1997年 采用Auger线型分析方法 因子分析方法 和已知组元强度的定量解谱 技术,对电子 束辅助N离子注入Si和磁控溅射方法 制备的TiNx薄膜的高分辨率俄歇 电子 能谱 (AES),进行了定量分析. 张庆瑜 马腾才关键词:俄歇电子谱法 Al_xGa_(1-x)As俄歇 灵敏度因子的测定 1994年 利用PHI610俄歇 谱 仪测定了Al,Ga和As的俄歇 灵敏度因子。对6种不同x值的Al_xGa_(1-x)As样品进行俄歇 定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱 仪测定的俄歇 灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册或内标法 提供的元素相对灵敏度因子的定量分析结果相比,测量精度得到大大提高。 陈维德 崔玉德关键词:灵敏度 俄歇电子谱法 俄歇 电子 能谱 (AES)在集成电路表面质量及失效分析中的应用1993年 张杏暖关键词:俄歇电子谱法 集成电路 因子分析法 在Ta_2O_5/Ta俄歇 深度剖析上的应用 被引量:2 1993年 将一种基于多元统计方法 的因子分析法 用于俄歇 深度剖面分析,采用Ar^+离子轰击Ta_2O_5/Ta样品,俄歇 峰采用具有高表面灵敏度和化学态灵敏的NOO俄歇 跃迁,用因子分析可得到Ta的三种可区别的不同化学态即Ta、Ta_2O_5和Ta_xO_y,并且能提高探测灵敏度。 李敏 张强基关键词:俄歇电子谱法 氧化钽 钽 俄歇 定量分析基体效应校正因子的获得1993年 本文探试了一种俄歇 定量分析基体效应校正因子获取的新方法 。通过测量淀积过程中的俄歇 强度——时间曲线,并对此进行拟合,得到定量分析所需的相对背散射因子和相对非弹性碰撞平均自由程。将它们用于合金样品的定量分析,得到了较好的结果。实验表明,非弹性碰撞平均自由程效应的校正和背散射因子的校正对定量分析是同样重要的。 杨新菊 陆明 张强基关键词:俄歇电子谱法 合金 GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析 1993年 本文用AES和SIMS分析讨论了p-GaP与三层金属膜Pd/Zn/Pd形成良好欧姆接触层的性质. 张福甲 李宝军 卓肇龙关键词:欧姆接触 俄歇电子谱法 质谱法 微通道板表面发雾的AES分析 被引量:2 1993年 应用俄歇 电子 能谱 对微通道板表面发雾区域进行分析。分析结果表明,发雾区碳含量比正常区高三倍。由此可推测出,发雾是由碳污染引起的,而这种碳污染很可能是残留于微通道板上的某些有机物在烧氢时碳化所致。 刘术林 张继胜 张海峰 赵俊关键词:微通道板 俄歇电子谱法 用于软X射线激光实验的铝衰减膜的测量 被引量:7 1993年 对不同方法 制备的不同厚度的铝衰减膜,用微机控制α测厚仪测量了膜的质量厚度以及膜厚均匀性,用Auser电子 能谱 (AES)对铝膜进行了组分的表面和深度分布分析,根据铝KLL Auger特征谱 揭示了氧化膜的化学组分并测量了氧化膜厚度随放置时间的变化,还讨论了膜中其它杂质含量的上限。 杜杰 王珏 杜保旗 周斌 华荫曾 陈玲燕关键词:X射线激光 俄歇电子谱法 Pd/W/Si(111)双层膜界面X射线光电子 能谱 与俄歇 电子 能谱 研究 1992年 The Pd/W/Si(lll) interface reaction has been investigated by XRD, XPS and AES. As the annealing temperature was low, no reaction among Pd, W and Si can be detected, but W started to diffuse into Pd and Si started to diffuse into. W. When the annealing temperature was raised, Pd and W were mixed and Pd diffused into Si substrate. When the annealing temperature was raised further, the interface reaction leads to a redistribution of the two metals with accumulation of the refractory metal at the outer layer, such a layer can be used as a diffusion barrier to protect the inner shallow contact layer. 施一生 赵特秀 刘洪图 王晓平关键词:钯 俄歇电子谱法 XPS
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范垂祯 作品数:65 被引量:42 H指数:3 供职机构:中国科学院兰州物理研究所 研究主题:砷化镓 SIMS 二次离子质谱 AES 金属 刘古 作品数:12 被引量:1 H指数:1 供职机构:浙江大学物理系物理学系 研究主题:ARUPS 俄歇电子谱法 角分布 角分辨 多晶 鲍世宁 作品数:82 被引量:95 H指数:6 供职机构:浙江大学物理系物理学系 研究主题:RU ARUPS CO 共吸附 电子态 张强基 作品数:33 被引量:57 H指数:4 供职机构:复旦大学材料科学系 研究主题:多道 储氢材料 氦 屏蔽效应 钛 邵力为 作品数:43 被引量:37 H指数:3 供职机构:东南大学 研究主题:吸气剂 超导体 超导材料 阳极氧化 NITI