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俄歇电子研究锡铅焊料的抗氧化机理被引量:14
1989年
用AES-350型俄歇电子仪对普通锡铅焊料和抗氧化焊料自液态冷却的自由表面进行分析研究,证明普通焊料表面因Sn的富集,易于形成不断增厚的氧化层;而微量元素Ga在抗氧化焊料表面富集倾向远大于Sn,并形成不到10nm的富Ga表面保护膜。本文指出,在保护膜内高价Ga离子使表面层离子排列空位增加并使比电导降低,是产生抗氧化性的原因。
吴申庆邵力为刘洁美姜文标
关键词:电子谱法焊料抗氧化
薄膜定量分析中的Auger线型分析方被引量:2
1997年
采用Auger线型分析方因子分析方和已知组元强度的定量解技术,对电子束辅助N离子注入Si和磁控溅射方制备的TiNx薄膜的高分辨率俄歇电子(AES),进行了定量分析.
张庆瑜马腾才
关键词:俄歇电子谱法
Al_xGa_(1-x)As俄歇灵敏度因子的测定
1994年
利用PHI610俄歇仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的Al_xGa_(1-x)As样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册或内标提供的元素相对灵敏度因子的定量分析结果相比,测量精度得到大大提高。
陈维德崔玉德
关键词:灵敏度俄歇电子谱法
俄歇电子(AES)在集成电路表面质量及失效分析中的应用
1993年
张杏暖
关键词:俄歇电子谱法集成电路
因子分析在Ta_2O_5/Ta俄歇深度剖析上的应用被引量:2
1993年
将一种基于多元统计方的因子分析用于俄歇深度剖面分析,采用Ar^+离子轰击Ta_2O_5/Ta样品,俄歇峰采用具有高表面灵敏度和化学态灵敏的NOO俄歇跃迁,用因子分析可得到Ta的三种可区别的不同化学态即Ta、Ta_2O_5和Ta_xO_y,并且能提高探测灵敏度。
李敏张强基
关键词:俄歇电子谱法氧化钽
俄歇定量分析基体效应校正因子的获得
1993年
本文探试了一种俄歇定量分析基体效应校正因子获取的新方。通过测量淀积过程中的俄歇强度——时间曲线,并对此进行拟合,得到定量分析所需的相对背散射因子和相对非弹性碰撞平均自由程。将它们用于合金样品的定量分析,得到了较好的结果。实验表明,非弹性碰撞平均自由程效应的校正和背散射因子的校正对定量分析是同样重要的。
杨新菊陆明张强基
关键词:俄歇电子谱法合金
GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析
1993年
本文用AES和SIMS分析讨论了p-GaP与三层金属膜Pd/Zn/Pd形成良好欧姆接触层的性质.
张福甲李宝军卓肇龙
关键词:欧姆接触俄歇电子谱法质谱法
微通道板表面发雾的AES分析被引量:2
1993年
应用俄歇电子对微通道板表面发雾区域进行分析。分析结果表明,发雾区碳含量比正常区高三倍。由此可推测出,发雾是由碳污染引起的,而这种碳污染很可能是残留于微通道板上的某些有机物在烧氢时碳化所致。
刘术林张继胜张海峰赵俊
关键词:微通道板俄歇电子谱法
用于软X射线激光实验的铝衰减膜的测量被引量:7
1993年
对不同方制备的不同厚度的铝衰减膜,用微机控制α测厚仪测量了膜的质量厚度以及膜厚均匀性,用Auser电子(AES)对铝膜进行了组分的表面和深度分布分析,根据铝KLL Auger特征揭示了氧化膜的化学组分并测量了氧化膜厚度随放置时间的变化,还讨论了膜中其它杂质含量的上限。
杜杰王珏杜保旗周斌华荫曾陈玲燕
关键词:X射线激光俄歇电子谱法
Pd/W/Si(111)双层膜界面X射线光电子俄歇电子研究
1992年
The Pd/W/Si(lll) interface reaction has been investigated by XRD, XPS and AES. As the annealing temperature was low, no reaction among Pd, W and Si can be detected, but W started to diffuse into Pd and Si started to diffuse into. W. When the annealing temperature was raised, Pd and W were mixed and Pd diffused into Si substrate. When the annealing temperature was raised further, the interface reaction leads to a redistribution of the two metals with accumulation of the refractory metal at the outer layer, such a layer can be used as a diffusion barrier to protect the inner shallow contact layer.
施一生赵特秀刘洪图王晓平
关键词:俄歇电子谱法XPS

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范垂祯
作品数:65被引量:42H指数:3
供职机构:中国科学院兰州物理研究所
研究主题:砷化镓 SIMS 二次离子质谱 AES 金属
刘古
作品数:12被引量:1H指数:1
供职机构:浙江大学物理系物理学系
研究主题:ARUPS 俄歇电子谱法 角分布 角分辨 多晶
鲍世宁
作品数:82被引量:95H指数:6
供职机构:浙江大学物理系物理学系
研究主题:RU ARUPS CO 共吸附 电子态
张强基
作品数:33被引量:57H指数:4
供职机构:复旦大学材料科学系
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邵力为
作品数:43被引量:37H指数:3
供职机构:东南大学
研究主题:吸气剂 超导体 超导材料 阳极氧化 NITI