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采用多栅晶体管结构的W波段高线性度正交下变频混频器
本发明实施例提供了采用多栅晶体管结构的W波段高线性度正交下变频混频器，基于多栅晶体管的优化导数叠加技术以提高线性度，具体将第一混频器和第二混频器中，偏置在临近截止区的第一晶体管并联到偏置在放大区的第二晶体管上，第一晶体管...
卢启军 孙佳威 韩大伟朱樟明
多输入下变频混频器
本发明题为“多输入下变频混频器”。公开了在中频或基带域中具有输入切换的多输入下变频混频器、系统和方法。一个例示性混频器实施方案包括：多个差分晶体管对和多个开关对。每个差分晶体管对具有：由差分参考信号驱动的它们的基极或栅极...
B·沙因曼
一种超宽带的无源下变频混频器
本发明的目的在于提供一种超宽带的无源下变频混频器，属于混频器技术领域。本发明通过在无源混频器的射频输入级和本振输入级创新性地采用鲁塞夫巴伦，同时相应地设计了开关混频核心级的电路架构，从而极大地扩宽了无源混频器的工作带宽，...
王勇曾慧坤陈满健
一种CMOS低噪声有源下变频混频器
2022年
提出了一种采用电流源开关的低噪声开关跨导有源下变频混频器.使用正弦波本振大信号驱动可以避免因为脉冲本振谐波诱发的噪声叠加效应;利用LC谐振结构来缓解尾节点寄生电容充电和放电对电路高频工作时的限制.提出的混频器采用65 nm CMOS工艺实现,工作在5.2 GHz的RF频段下,最大转换增益为11.6 dB,输入三阶交调截取点(IIP3)为5.5 dBm。对于5.2 GHz的LO频率点,分别在fIF=10/200 MHz时测得4.3/3.3 dB的双边带噪声系数(NF).在1.2 V的供电电压下,所设计芯片功耗仅为8.4 mW.
张超权郭本青李珂李磊周婉婷
关键词：CMOS混频器噪声系数
一种互补跨导高线性下变频混频器
一种互补跨导高线性下变频混频器，涉及无线收发技术领域。解决了目前下变频混频器随着输入信号功率越来越大，混频器的线性度会恶化的问题。包括：互补跨导极，用于将输入射频电压信号转换为电流信号；开关极：用于通过本振信号交替控制开...
齐晓斐胡一博崔珂瑜孙旭涛张嘉宁丁聪
一种超宽带的无源下变频混频器
本发明的目的在于提供一种超宽带的无源下变频混频器，属于混频器技术领域。本发明通过在无源混频器的射频输入级和本振输入级创新性地采用鲁塞夫巴伦，同时相应地设计了开关混频核心级的电路架构，从而极大地扩宽了无源混频器的工作带宽，...
王勇曾慧坤陈满健
基于CMOS工艺的高OIP3下变频混频器的研究
21世纪以来，无线通信系统已经深入人们生活的各个方面，射频收发系统作为无线通信系统中的关键部分，在民用、军事和医疗等行业都得到了广泛的应用。与此同时，随着无线通信技术的发展，人们对射频收发系统的集成度与其它各项性能指标都...
周爵
关键词：电路设计互补金属氧化物半导体线性度本振信号
一种基于衬底注入技术的高线性B类下变频混频器
本发明公开了一种基于衬底注入技术的高线性B类下变频混频器，通过衬底注入技术，利用晶体管的体效应来等效提高LO摆幅，从而提高增益并降低对本振信号功率的要求。该混频器通过电流镜来偏置混频器的直流电流，使瞬态电流与本振输入信号...
徐志伟袁朔阳王圣杰李泉涌陈姜波宋春毅
一种无电感下变频混频器
本发明涉及一种无电感下变频混频器，包括：设有输入跨导单元、交叉耦合电容单元、开关单元、电阻负载单元，输入跨导单元采用不同的衬底电压结构；交叉耦合电容单元，在开关单元源极形成负阻，以改善线性度；射频输入信号由输入跨导单元放...
梁煜党艳杰张为
文献传递
2.4~5.3GHz抗阻塞下变频混频器设计
由于物联网、5G通信等先进技术的高速发展，无线通讯终端数目迅速增多，极大地增加了阻塞的风险。如果接收机的抗阻塞性能较差，发生了信号阻塞，那么电路的性能就会严重恶化。因此，提高接收机的抗阻塞性能，具有非常重要的意义。　　论...
陈东
关键词：下变频混频器电路设计
文献传递
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李浩
作品数：46被引量：53H指数：4
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李巍
作品数：196被引量：52H指数：4
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研究主题：集成电路技术 模数转换器 超宽带系统 频率综合器 无线接收机
张楷晨
作品数：19被引量：0H指数：0
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研究主题：低噪声放大器 CMOS 无线接收机 多模 差分